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IXTQ26N60P

更新時間:2025-05-15 23:46:25

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IXTQ26N60P外觀圖

IXTQ26N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

IXTQ26N60P 概述

IXTQ26N60P是由IXYS公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用了先進的Trench技術，優(yōu)化了導通電阻和開關性能，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器和其他高效能電力電子設備中。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達26A，在高電壓應用中表現(xiàn)出色。該MOSFET具有低柵極電荷和低反向傳輸電容，有助于減少開關損耗并提高整體效率。在實際應用中，建議將其用于同步整流電路或硬開關拓撲結構中，以充分利用其快速開關特性。設計時應注意驅動電路的設計，確保柵極電壓穩(wěn)定且符合規(guī)格要求，避免因過壓損壞柵極氧化層。此外，適當?shù)纳岽胧┮彩潜ＷC其長期可靠運行的關鍵。

IXTQ26N60P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
26A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4150pF @ 25V
功率 - 最大
460W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3P
包裝
管件

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