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IXTY1R6N50D2

更新時間:2025-05-28 22:26:34

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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只做原裝進口現(xiàn)貨，專注配單

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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市信科微科技有限公司
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IXTY1R6N50D2外觀圖

IXTY1R6N50D2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IXTY1R6N50D2 概述

IXTY1R6N50D2是IXYS公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器等高效能電力電子設備中。其最大漏源電壓為500V，能滿足多數(shù)高壓應用需求。在電機驅動電路中也表現(xiàn)出色，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)整體效率。使用時需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟，同時要關注散熱設計避免過熱損壞。在電路設計中通常與控制IC配合使用，實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的開關操作。

IXTY1R6N50D2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.3 歐姆 @ 800mA，0V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
-
閘電荷(Qg) @ Vgs
23.7nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
645pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252，（D-Pak）
包裝
管件

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