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IXTY1R6N50P

更新時間:2025-07-04 00:45:21

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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IXTY1R6N50P外觀圖

IXTY1R6N50P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IXTY1R6N50P 概述

IXTY1R6N50P是由IXYS公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器及電機驅(qū)動等應(yīng)用場合。其最大漏源電壓為500V，能夠承受較高的電壓應(yīng)力，在工業(yè)級和消費級電子設(shè)備中表現(xiàn)出色。由于其低柵極電荷，有助于降低開關(guān)損耗，提升整體效率。在實際應(yīng)用中，需注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計以確?？煽块_啟和關(guān)閉MOSFET，并且散熱設(shè)計也至關(guān)重要，以避免過熱導(dǎo)致的性能下降或損壞。此款MOSFET常用于高性能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，是高可靠性設(shè)計的理想選擇。

IXTY1R6N50P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
75
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.5 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
3.9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
43W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-252，（D-Pak）
包裝
管件

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