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NAND512W3A2BN6

更新時(shí)間:2025-07-06 16:01:55

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

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您是不是要找：NAND256W3A2BN6E NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6 N8T20N N89C126FX N89C126 N89C026XE N89C026LTR0008 n89c026lt0008 N89C026LT(SV782) NAND512W3A2BN6E

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NAND512W3A2BN6 概述

NAND512W3A2BN6是ON Semiconductor生產(chǎn)的一款512K位并行NOR Flash存儲(chǔ)器。該芯片采用3V單電源供電，具有快速讀取能力，支持高效的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和檢索操作。其封裝形式為TSOP-48，適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括消費(fèi)電子產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī)、手持設(shè)備以及需要代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄功能的工業(yè)控制系統(tǒng)。在嵌入式系統(tǒng)中常用于存放啟動(dòng)代碼、固件映像及關(guān)鍵數(shù)據(jù)。使用時(shí)需注意供電電壓穩(wěn)定性以確保數(shù)據(jù)完整性，在設(shè)計(jì)PCB布局時(shí)應(yīng)盡量縮短地址與數(shù)據(jù)線長度減少噪聲干擾。建議配合去耦電容優(yōu)化電源質(zhì)量，并遵循制造商推薦的信號(hào)完整性設(shè)計(jì)指南進(jìn)行布線。

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NAND512W3A2BN6
NAND512W3A2BN6E
NAND512W3A2BN6F
NAND FLASH
NAND016R3B2CZA6
NAND01G
NAND01GR3B2BZA6E
NC7SP125P5X

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