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NAND512W3A2BN6E

更新時間:2025-07-03 19:49:39

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NAND512W3A2BN6E外觀圖

NAND512W3A2BN6E

STMicroelectronics 存儲器

IC FLASH 512MBIT 48TSOP

封裝:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

NAND512W3A2BN6E 概述

NAND512W3A2BN6E是ON Semiconductor生產(chǎn)的一款512Kb串行SPI接口EEPROM存儲器。它采用低功耗CMOS技術(shù)制造，具有高可靠性數(shù)據(jù)存儲能力。該芯片支持2.5V至3.6V工作電壓范圍，典型工作頻率可達(dá)20MHz，適用于需要非易失性存儲的應(yīng)用場景。常見應(yīng)用場景包括工業(yè)控制設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品、通信系統(tǒng)中的配置存儲等。在嵌入式系統(tǒng)中可用于存儲固件、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)或運(yùn)行參數(shù)。其小尺寸封裝(WLCSP)特別適合空間受限的設(shè)計需求。使用時應(yīng)注意電源去耦電容的合理布局以確保穩(wěn)定工作，并遵循制造商推薦的讀寫操作時序要求。設(shè)計電路時可參考官方提供的應(yīng)用筆記進(jìn)行PCB布局和信號完整性優(yōu)化。

NAND512W3A2BN6E 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
576
類別
集成電路 (IC)
家庭
存儲器
系列
-
格式 - 存儲器
閃存
存儲器類型
閃存 - NAND
存儲容量
512M（64M x 8）
速度
-
接口
并聯(lián)
電源電壓
2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
48-TSOP
包裝
托盤
其它名稱
497-5040

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