NCEP50P80是無(wú)錫新潔能股份有限公司生產(chǎn)的一款P溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先進(jìn)的溝槽工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻特性。其最大漏源電壓可達(dá)-80V，在柵極驅(qū)動(dòng)電壓為 -10V 時(shí)，導(dǎo)通電阻典型值僅為5.3mΩ。 此款MOSFET適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，如直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、電池管理電路以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等場(chǎng)景。在實(shí)際應(yīng)用中，由于其較低的導(dǎo)通損耗，有助于提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。設(shè)計(jì)電路時(shí)，需確保柵極驅(qū)動(dòng)電路能夠提供足夠的電壓以保證MOSFET完全導(dǎo)通，同時(shí)注意防止靜電對(duì)柵極的損壞，建議在柵極串聯(lián)一個(gè)小電阻來(lái)抑制振蕩。對(duì)于電源轉(zhuǎn)換電路，合理選擇外圍元件參數(shù)如電感和電容值，以匹配N(xiāo)CEP50P80的工作要求。