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NJVMJD45H11RLG

更新時間:2025-05-17 23:00:36

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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NJVMJD45H11RLG外觀圖

NJVMJD45H11RLG

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS BIP PNP 8A 80V DPAK-4

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NJVMJD45H11RLG 概述

NJVMJD45H11RLG是ON Semiconductor生產的一款高壓功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源轉換應用。其設計主要用于DC-DC轉換器、不間斷電源系統(tǒng)及電機驅動電路中。在實際應用中，這款MOSFET可以承受高達600V的漏源電壓，非常適合高電壓應用場景。使用時需注意柵極驅動電路的設計以確保可靠開關，并且要考慮散熱管理，因為大電流操作下會產熱。典型電路配置包括與控制IC配合用于同步整流或作為主開關管，在電源模塊中實現(xiàn)能量變換功能。由于其優(yōu)越的電氣性能，也常見于工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)部分。

NJVMJD45H11RLG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,800
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
8A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
80V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1V @ 400mA，8A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
40 @ 4A，1V
功率 - 最大
1.75W
頻率 - 轉換
90MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)

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廣東微爾科技有限公司

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