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PHD108NQ03

更新時間:2025-05-16 14:18:19

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PHD108NQ03 概述

PHD108NQ03是Alpha and Omega Semiconductor公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DFN1006封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型導通電阻僅為0.085Ω，這有助于降低功耗。該器件適用于負載開關(guān)、電源管理等應用場合，例如智能手機、平板電腦等便攜式電子設備中的電池充電控制電路和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。在使用時應注意其最大漏源電壓為30V，最大連續(xù)漏極電流為3.8A（在25℃條件下），要確保實際工作條件不超過這些極限參數(shù)以保證器件可靠工作。同時，由于其采用小尺寸封裝，在焊接過程中要注意合適的回流焊溫度曲線以免損壞器件。

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