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RQ1C065UNTR

更新時間:2025-06-21 18:07:26

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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誠信經營，提供BOM一站式配單服務
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NEW/NEW
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深圳市君云達電子科技有限公司
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RQ1C065UNTR 概述

RQ1C065UNTR是Rohm公司生產的一款低ESR多層陶瓷電容器，具有高可靠性。該電容額定電壓為6.3V，電容值為0.1μF，采用X7R介電材料，能在較寬的溫度范圍內保持穩(wěn)定的性能。其尺寸小巧，適合高密度貼裝要求。這種電容器廣泛應用于手機、平板電腦等便攜式電子設備中，用于電源去耦、信號耦合等電路。在高頻電路中表現(xiàn)出色，可以有效降低噪聲干擾。由于其低ESR特性，在提高電路效率方面也有一定優(yōu)勢。使用時應注意避免超過額定電壓，并且在焊接過程中要控制好溫度和時間，防止損壞元件。建議在設計PCB布局時盡量縮短電容與負載之間的距離以優(yōu)化去耦效果。

RQ1C065UNTR 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,985現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
22 毫歐 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TSMT8
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線

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廣東微爾科技有限公司

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