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RSD201N10TL

更新時間:2025-05-22 00:38:04

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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十年配單，只做原裝

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特價支持，只做原裝現(xiàn)貨

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深圳市星宇佳科技有限公司
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只做原裝,提供一站式配套服務(wù)，BOM表秒報

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深圳市科鑫美電子有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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RSD201N10TL 概述

RSD201N10TL是由ROHM（羅姆）公司生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻特性，適用于高效率的電源管理應(yīng)用。其最大漏源電壓為100V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，典型導(dǎo)通電阻僅為0.13Ω。此款MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、通信基站等領(lǐng)域的開關(guān)電源電路中，如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。在實際應(yīng)用中，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，同時要合理設(shè)計散熱系統(tǒng)避免過熱損壞。在電路設(shè)計時，可以將該MOSFET與合適的控制IC配合使用，實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。例如，在同步整流電路中，可利用其快速開關(guān)特性提高整體轉(zhuǎn)換效率。

RSD201N10TL 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設(shè)計
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
46 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2100 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
850mW（Ta），20W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
CPT3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

RSD201N10TL推薦型號

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RSD200N10
RSD200N10TL
RSD201N10
RSD221N06
RSD221N06TL
RHRP8120

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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