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SCT2H12NZGC11

更新时间:2025-06-10 16:28:00
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SCT2H12NZGC11 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）
    1700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3.7A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    1.5 欧姆 @ 1.1A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 900μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    14 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）
    +22V，-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    184 pF @ 800 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    35W（Tc）
  • 工作温度
    175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-3PFM
  • 封装/外壳
    TO-3PFM，SC-93-3
芯知识
6541
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广东微尔科技有限公司
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