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SI4126BM

更新時間:2025-06-05 02:44:41

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SI4126BM 概述

SI4126BM是Vishay公司生產的一款N溝道增強型MOSFET，采用先進的TrenchFET技術。該器件具有低導通電阻和柵極電荷的特點，能夠有效降低導通損耗并提高開關速度，在功率轉換電路中表現(xiàn)出色。這款MOSFET適用于多種應用場合，如DC-DC轉換器、電池管理系統(tǒng)以及負載開關等需要高效能電源管理的領域。在實際應用中，建議選擇適當?shù)臇艠O驅動電阻來優(yōu)化開關性能，并確保散熱設計合理以維持正常工作溫度。使用時需注意其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流根據(jù)封裝形式有所不同，請查閱具體數(shù)據(jù)手冊確認詳細參數(shù)。此外，布局布線時應盡量縮短源極與柵極走線距離以減少寄生電感影響。

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