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SI8823EDB-T2-E1

更新時間:2025-06-04 14:42:40

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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只報實價，不按市場報價，成單為目的

深圳市吉銘貿(mào)易有限公司
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50000
Vishay Siliconix
MOSFET PCH 20V 2.7A 4MICROFOOT/2020+
原裝現(xiàn)貨配單

深圳市星宇佳科技有限公司
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3000
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MicroFoot4/20+
20+

深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司
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3000
SILICONIX (VISHAY)
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優(yōu)勢國外原裝現(xiàn)貨2周，價優(yōu)

易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司
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160000
ST(意法半導體)
TSSOP20/21+
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SI8823EDB-T2-E1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
5,990現(xiàn)貨
系列
TrenchFET? Gen III
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2.7A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
95 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
580 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
900mW（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
4-MICRO FOOT?（0.8x0.8）
封裝/外殼
4-XFBGA

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廣東微爾科技有限公司

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