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SPP02N60C3

更新時間:2025-06-11 13:39:10

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SPP02N60C3 概述

SPP02N60C3是由英飛凌科技生產的高性能N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關應用。該器件采用CoolMOS技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，有助于提高效率并減少開關損耗。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流在25℃時為2A，適合用于電源轉換器、適配器、照明系統(tǒng)等需要高效功率管理的場合。由于其優(yōu)化的開關性能，特別適用于要求高效率和緊湊設計的應用場景，如DC-DC轉換器和電池充電器等電路中。使用時應注意合理的PCB布局以降低寄生電感，并確保驅動電路能提供足夠的柵極驅動電壓以實現(xiàn)最佳性能。

SPP02N60C3 規(guī)格參數

數據列表
SPP02N60C3
產品培訓模塊
CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 歐姆 @ 1.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.9V @ 80µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
200pF @ 25V
功率 - 最大
25W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000013523SPP02N60C3INSPP02N60C3XSPP02N60C3XKSPP02N60C3XTINSPP02N60C3XTIN-ND

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