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SQSA80ENW-T1_GE3

更新時間:2025-05-26 16:52:25

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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SQSA80ENW-T1_GE3 概述

SQSA80ENW-T1_GE3是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的一種型號，由 Vishay 公司生產。此款 MOSFET 采用小型表面貼裝的 PowerPAK SO-8 封裝，具有低導通電阻和高效率的特點，適合于需要高效電源管理的應用場景。在實際應用中，它常被用于直流 - 直流轉換器、負載點 (POL) 轉換器以及電池供電設備中的電源管理電路。例如，在筆記本電腦、平板電腦等便攜式電子設備中，可用于優(yōu)化電源分配以延長電池使用時間。設計時應注意其最大電壓、電流額定值以確保安全工作范圍，同時根據(jù)具體需求合理布局散熱以保證性能穩(wěn)定。由于其封裝緊湊，在PCB布局時要特別注意焊盤設計以確保良好的焊接效果和電氣連接。

SQSA80ENW-T1_GE3 規(guī)格參數(shù)

品牌：Vishay Siliconix
描述：MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212
包裝：3000/標準卷帶
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：21nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1358pF @ 40V
功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

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廣東微爾科技有限公司

SQSA80ENW-T1_GE3推薦型號

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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