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STD10N60M2

更新時間:2025-06-08 18:37:19

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產(chǎn)品型號
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STD10N60M2 概述

STD10N60M2是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達10A，在高頻開關(guān)電源、不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等場景中表現(xiàn)出色。在實際應(yīng)用中，建議在電路設(shè)計時注意散熱管理，確保良好的熱傳導(dǎo)路徑以維持穩(wěn)定工作溫度。由于其低柵極電荷特性，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)，減少開關(guān)損耗，特別適合于需要高效率和緊湊設(shè)計的應(yīng)用場合。使用時應(yīng)遵循數(shù)據(jù)手冊推薦的柵極驅(qū)動電路，避免過壓損壞柵極絕緣層。

STD10N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
600 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
13.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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