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STD10P6F6

更新時間:2025-05-21 14:57:39

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市騰樁電子有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市斌騰達科技有限公司
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QCW/群川微完美代用進口質量國產價格

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STD10P6F6 概述

STD10P6F6是意法半導體生產的一款P溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其最大漏極-源極電壓為-60V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達-10A。由于其出色的熱性能和電氣特性，常用于DC-DC轉換器、負載開關以及電池管理系統(tǒng)中。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)小電阻以抑制振蕩，并確保散熱良好以維持穩(wěn)定工作溫度。設計電路時應注意柵極驅動電壓需滿足閾值要求，防止誤操作。

STD10P6F6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
DeepGATE?, STripFET? VI
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
10A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
160 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
6.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 48 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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