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STD11N50M2

更新時間:2025-06-16 19:50:33

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產品型號
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廠商
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說明
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STD11N50M2 概述

STD11N50M2是意法半導體生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，有助于提高能效并減少開關損耗。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達11A，適用于高電壓、大電流的應用場景。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動器以及工業(yè)自動化設備中的高壓轉換電路。在這些應用中，該MOSFET能夠提供快速的開關速度和平滑的切換性能，從而提升系統(tǒng)整體效率。使用時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關性能，并確保散熱設計滿足熱管理要求。建議在實際應用中參考最新的數(shù)據手冊進行電路設計與元件選型。

STD11N50M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
530 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
395 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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