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STD13N60M2

更新時間:2025-06-25 21:48:12

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

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STD13N60M2 概述

STD13N60M2是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高頻開關應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達13A，非常適合用于電源轉換器、適配器、LED驅動器以及工業(yè)控制設備中的開關電路。在設計時需注意適當?shù)纳岽胧┮源_保器件可靠運行，建議結合具體應用場景選擇合適的柵極驅動電阻值，并確保柵極電壓不超過額定范圍。典型應用包括反激式變換器和諧振變換器等高效電源拓撲結構中。

STD13N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
11,847現(xiàn)貨
系列
MDmesh? II Plus
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
380 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
580 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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