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STD18N65M5

更新時間:2025-06-10 01:34:25

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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STD18N65M5外觀圖

STD18N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 15A DPAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STD18N65M5 概述

STD18N65M5是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。它采用MDmesh M5技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和柵極電荷特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件的最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達(dá)18A。其優(yōu)化的開關(guān)性能使其非常適合于高頻應(yīng)用，如開關(guān)電源、適配器和LED驅(qū)動器等。在具體應(yīng)用中，建議將其用于需要高效率和可靠性的場合，例如服務(wù)器電源、工業(yè)電源和消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。設(shè)計時應(yīng)注意適當(dāng)?shù)纳岽胧?，以確保器件在高負(fù)載下穩(wěn)定運行。電路設(shè)計中可以考慮使用合適的柵極驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關(guān)速度，并減少EMI干擾。此外，應(yīng)根據(jù)實際工作條件選擇合適的PCB布局，以降低寄生電感和電阻的影響。

STD18N65M5 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Mdmesh™ V
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
220 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1240pF @ 100V
功率 - 最大
110W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D²PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-13088-6

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廣東微爾科技有限公司

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SN65HVD230DR

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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