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STD26P3LLH6

更新時間:2025-05-23 12:02:10

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說明
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STD26P3LLH6 概述

STD26P3LLH6是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源管理應用。其最大漏極-源極電壓為30V，適合在低壓高頻電路中使用。典型應用場景包括同步整流、DC-DC轉換器以及電池充電電路等。在設計時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計良好，防止過熱導致性能下降或損壞。對于DC-DC轉換器設計，建議仔細評估輸出電感與電容參數(shù)，以獲得最佳效率和紋波表現(xiàn)。

STD26P3LLH6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
53,170現(xiàn)貨
系列
DeepGATE?, STripFET? VI
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
30 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1450 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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STD26P3LLH6
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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