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STD2LN60K3

更新時間:2025-05-18 13:16:31

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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STD2LN60K3 概述

STD2LN60K3是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用TO-252封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源管理和電池充電電路等應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為600V，這使得它在高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色，例如家用電器中的電機控制、照明系統(tǒng)以及工業(yè)自動化設(shè)備的電源部分。此外，這款MOSFET還具備較高的峰值電流能力，有助于提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。在實際使用時，應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)性能，并確保散熱設(shè)計滿足要求以避免過熱損壞。

STD2LN60K3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,495現(xiàn)貨
系列
SuperMESH3?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
4.5 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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