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STD30N6LF6AG

更新時間:2025-07-29 11:47:34

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

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深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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STD30N6LF6AG 概述

STD30N6LF6AG是由意法半導體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh V技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達30A，適合用于高壓高效能的功率轉換電路中。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅動以及各種開關模式電源（SMPS）。在實際設計中，建議確保柵極驅動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，并且注意適當?shù)纳嵩O計來維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。對于需要高效率和緊湊設計的應用來說，這款MOSFET是一個理想的選擇。使用時需遵循制造商推薦的PCB布局指南以優(yōu)化熱性能并減少電磁干擾。

STD30N6LF6AG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET? F6
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
25 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1320 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

STD30N6LF6AG推薦型號

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STD3055L
STD30N03
STD30N10F7
STD30NE06
STD30NE06L
STD30NE06LT4
STD30NF03L
SN74HC04N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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