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STD30NE06

更新時間:2025-07-05 06:42:24

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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

無錫固電半導體股份有限公司
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艾潤（香港）電子有限公司
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STD30NE06 概述

STD30NE06是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力，最大漏極電流可達80A，適用于高效功率轉換應用。典型應用場景包括開關電源、直流-直流轉換器、電機驅動以及不間斷電源(UPS)系統。在電路設計中，應確保柵極驅動電壓足夠以實現最低的導通電阻，通常需要10V以上的柵極電壓。為防止過熱損壞，在連續(xù)工作狀態(tài)下需考慮適當的散熱措施如使用散熱器。對于電機驅動應用，注意合理設計驅動電路的死區(qū)時間以避免上下橋臂直通現象。在選擇外部元件時，應根據具體的工作頻率和電流要求來確定柵極電阻值，以優(yōu)化開關速度和EMI性能。

STD30NE06 規(guī)格參數

制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
60 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
30 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.03 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
封裝
Tube
下降時間
45 ns
最小工作溫度
- 65 C
功率耗散
55 W
上升時間
100 ns
工廠包裝數量
75

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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