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STD35P6LLF6

更新時間:2025-07-14 05:30:01

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說明
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STD35P6LLF6 概述

STD35P6LLF6是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh V技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點。其最大漏源電壓為60V，適合在低壓高頻應用中使用。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電源管理電路以及電機驅動控制等。在電源管理系統(tǒng)中，它能夠有效降低功耗并提高整體效率。由于其快速的開關特性，特別適用于需要高效能量轉換的設計場合。設計時應注意合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關性能，并確保散熱設計滿足要求，避免過熱導致的性能下降或損壞。

STD35P6LLF6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
STripFET? F6
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
28 毫歐 @ 17.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
30 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3780 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
70W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

STD35P6LLF6推薦型號

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SMBJ12A

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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