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STD8NM60N

更新時(shí)間:2025-07-04 10:35:58

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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原裝認(rèn)證有意請(qǐng)來電或QQ洽談

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藍(lán)界科技（深圳）有限公司
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QCW/群川微完美代用進(jìn)口質(zhì)量國產(chǎn)價(jià)格

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STD8NM60N外觀圖

STD8NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD8NM60N 概述

STD8NM60N是由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓（Vds）為600V，適用于各種工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源系統(tǒng)等場(chǎng)景。在應(yīng)用方面，STD8NM60N常用于開關(guān)電源（SMPS）、照明控制系統(tǒng)以及需要高電壓和高效率的電力電子設(shè)備中。它能夠承受高達(dá)8A的連續(xù)漏極電流，并且具備卓越的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能力，確保在苛刻環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。使用時(shí)需注意柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，以確保足夠的驅(qū)動(dòng)電壓（典型值為10V），從而實(shí)現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻。此外，在布局PCB時(shí)應(yīng)盡量減小寄生電感和電容，以減少開關(guān)損耗和電磁干擾。對(duì)于初學(xué)者來說，可以參考官方提供的評(píng)估板設(shè)計(jì)來加速開發(fā)過程。

STD8NM60N 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
650 毫歐 @ 3.5A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
560pF @ 50V
功率 - 最大
70W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
497-7977-6

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廣東微爾科技有限公司

STD8NM60N推薦型號(hào)

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STD8NM60N-1
STD8NM60ND
STD80N10F7
STD80N4F6
STD80N6F6
STD815CP40
STD826T4
STM32F103RBT6

IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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