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STF100N10F7

更新時間:2025-06-14 14:44:40

供應商
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廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝正品現(xiàn)貨假一罰十ST全系列訂貨

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原裝現(xiàn)貨，市場價格

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市石芯電子有限公司
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一手工廠庫存，貨穩(wěn)/價低/快速

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原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

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原裝現(xiàn)貨，實單支持

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只做原裝、原廠優(yōu)勢渠道、假一賠十

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終端可以免費供樣，支持BOM配單

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨

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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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深圳市騰樁電子有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市旺財半導體有限公司
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原裝現(xiàn)貨需要的加QQ3552671880 2987726803

深圳市萊克訊科技有限公司
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原包裝進口正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道

藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市盛達亨科技有限公司
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中揚電子（深圳）有限公司
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深圳市廣弘電子有限公司
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深圳市富萊微科技有限公司
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TO2203 Full Pack/22+
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STF100N10F7 概述

STF100N10F7是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效能和高可靠性應用，具有低導通電阻和快速開關特性。它在10V柵源電壓下的最大導通電阻僅為0.024歐姆，能夠承受高達100V的漏源電壓，連續(xù)漏極電流能力為100A。此MOSFET適用于多種應用場景，包括但不限于開關電源、電機驅(qū)動、電池充電器以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效電能轉(zhuǎn)換和控制的場合。其優(yōu)化的設計使得它在高頻條件下依然保持良好的熱性能和電氣性能，有助于提高整個系統(tǒng)的效率并減少散熱需求。在實際應用中，建議在電路布局時盡量減小柵極回路的寄生電感，以防止振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。同時，確保有足夠的散熱措施來維持MOSFET的工作溫度在其安全操作范圍內(nèi)。對于驅(qū)動電路的設計，推薦使用適當?shù)臇艠O電阻值以匹配開關速度與EMI性能之間的平衡。

STF100N10F7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
7,456現(xiàn)貨
系列
DeepGATE?, STripFET? VII
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
45A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
8 毫歐 @ 22.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4369 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FP
封裝/外殼
TO-220-3 整包

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廣東微爾科技有限公司

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