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STF10N65K3

更新時間:2025-06-06 03:56:00

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STF10N65K3外觀圖

STF10N65K3

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STF10N65K3 概述

STF10N65K3是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高頻開關應用，具有低導通電阻和低柵極電荷特性。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達10A。憑借這些特性，它非常適合應用于電源轉換器如AC-DC和DC-DC轉換器中，也可用于電機驅動、照明控制等需要高效功率管理的場合。在電路設計時應注意合適的柵極驅動電路以確保最佳性能，并采取措施防止靜電損壞。在具體應用中，推薦參考制造商提供的典型應用電路進行設計以確保穩(wěn)定性和可靠性。

STF10N65K3 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STF10N65K3 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH3™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1 歐姆 @ 3.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
42nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1180pF @ 50V
功率 - 最大
35W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-12562-5STF10N65K3-ND

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