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STF2LN60K3

更新時間:2025-05-23 09:03:16

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STF2LN60K3 概述

2LN60K3是由意法半導體生產的高性能N溝道功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源管理系統(tǒng)。其最大漏源電壓（Vds）可達600V，適合于需要高電壓處理能力的應用場景。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、太陽能逆變器以及工業(yè)自動化設備中的開關電源。在實際應用中，STF2LN60K3常用于DC-DC轉換器和AC-DC轉換器的設計中，作為主開關元件。由于其低柵極電荷（Qg），可以實現更低的開關損耗，從而提高整體效率。設計時應注意確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以完全開啟MOSFET，并且在布局布線時盡量減小寄生電感的影響，以避免振蕩現象的發(fā)生。此外，在高溫環(huán)境下工作時，需考慮溫度對器件性能的影響，適當調整散熱措施。

STF2LN60K3 規(guī)格參數

現有數量
898現貨
系列
SuperMESH3?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.5 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FP
封裝/外殼
TO-220-3 整包

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