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STF30NM60N

更新時間:2025-07-13 07:03:06

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STF30NM60N外觀圖

STF30NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STF30NM60N 概述

30NM60N是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效能電力管理應用，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高頻開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、不間斷電源（UPS）和其他需要高性能開關(guān)元件的場合。在具體應用中，STF30NM60N常被用作主開關(guān)管，在DC-DC轉(zhuǎn)換器中發(fā)揮關(guān)鍵作用。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達30A，這使得它非常適合于高壓大電流的應用環(huán)境。使用時應注意散熱設計，確保MOSFET工作溫度保持在安全范圍內(nèi)。電路設計上，可以采用標準的柵極驅(qū)動電路，并根據(jù)實際需求調(diào)整柵極電阻值以優(yōu)化開關(guān)性能。在布局PCB時，盡量縮短源極與柵極之間的走線長度，減少寄生電感對開關(guān)特性的影響。

STF30NM60N 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
25A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
130 毫歐 @ 12.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
91nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2700pF @ 50V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

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