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STF34NM60N

更新時間:2025-06-10 05:30:28

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深圳市積美福電子科技有限公司
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武漢力源信息技術股份有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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艾潤（香港）電子有限公司
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深圳市萬芯時代貿易有限公司
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N/A/25+
回收此型號STF34NM60N

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STF34NM60N外觀圖

STF34NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 29.0A TO220FP

封裝:TO-220-3 整包

STF34NM60N 概述

STF34NM60N是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，適用于高電壓應用。該器件最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達22A，具有低導通電阻（Rds(on)），有助于減少功耗并提高效率。其柵極電荷較低，可實現(xiàn)快速開關操作，適合高頻應用。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動和逆變器等工業(yè)控制設備。在電路設計中，建議根據(jù)具體應用選擇合適的柵極電阻值以優(yōu)化開關速度與EMI性能。使用時需確保柵極驅動電壓足夠，避免工作在線性區(qū)導致過熱損壞。此外，應合理布局PCB走線，盡量縮短源極引腳到驅動器的回路長度，降低寄生電感影響。

STF34NM60N 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STF34NM60N View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
29A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
105 毫歐 @ 14.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
84nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2722pF @ 100V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-11887-5STF34NM60N-ND

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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