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STF38N65M5

更新時間:2025-06-11 07:32:46

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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中揚電子（深圳）有限公司
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STF38N65M5外觀圖

STF38N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 30A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STF38N65M5 概述

STF38N65M5是意法半導體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件專為高頻開關電源應用設計，具有低導通電阻和低柵極電荷的特點，有助于提高效率并減少開關損耗。其最大漏源電壓為650V，適用于不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)焊接設備等需要高耐壓和高效能的應用場景。在電路設計中，建議選擇適當?shù)臇艠O驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計能夠有效管理器件工作溫度。使用時需注意避免超過最大額定電壓和電流，防止器件損壞。此MOSFET可在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行，適用于惡劣工況。

STF38N65M5 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Mdmesh™ V
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
95 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
71nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3000pF @ 100V
功率 - 最大
35W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-13102-5

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廣東微爾科技有限公司

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STF32N65M5
STM32F103CBT6

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