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STF6N60DM2

更新時間:2025-07-11 19:09:08

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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ST/意法
TO220/21+
-

深圳市盛達亨科技有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

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DPAK/25+
助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市富萊微科技有限公司
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只做原裝，現(xiàn)貨庫存

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華芯盛世半導體（深圳）有限公
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只做原裝,提供一站式配套服務，BOM表秒報

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北京睿宸齊芯科技有限公司
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主營ST，原裝現(xiàn)貨提供配單

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STF6N60DM2 概述

STF6N60DM2是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用DM2封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。其優(yōu)化的柵極電荷使得驅(qū)動電路設計更為簡單高效。典型應用場景包括不間斷電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動控制器等。在實際使用中，需注意其最大漏源電壓為600V，確保電路工作電壓在其額定范圍內(nèi)以避免損壞。設計時應合理布局PCB走線，減少寄生電感對開關性能的影響，并根據(jù)具體需求選擇合適的柵極電阻來優(yōu)化開關速度與EMI性能。

STF6N60DM2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? DM2
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.1歐姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
6.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
274 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FP
封裝/外殼
TO-220-3 整包

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廣東微爾科技有限公司

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