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STF7NM50N

更新時間:2025-06-14 01:55:42

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STF7NM50N外觀圖

STF7NM50N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STF7NM50N 概述

STF7NM50N是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用。其最大漏源電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達7A，非常適合于開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及照明系統(tǒng)等應(yīng)用中作為功率開關(guān)使用。在電路設(shè)計時應(yīng)注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，確保柵極電壓足夠高以完全開啟MOSFET，同時要考慮散熱設(shè)計，避免因過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。在實際應(yīng)用中，通常與控制IC配合使用來實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。

STF7NM50N 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
780 毫歐 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
400pF @ 50V
功率 - 最大
20W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-7474-5STF7NM50N-ND

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STF7N95K3
STM8S903K3T6C

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