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STF80N10F7

更新時間:2025-06-19 09:46:46

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深圳市世紀成達電子科技有限公
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿易有限公司
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STF80N10F7 概述

STF80N10F7是由意法半導體生產的N溝道功率MOSFET。這款器件專為高效能應用設計，具有低導通電阻和高電流處理能力。其最大漏極電流可達80A，適用于需要大電流切換的場合。該MOSFET常用于電源管理、電機驅動、不間斷電源（UPS）系統(tǒng)以及DC-DC轉換器中。在這些應用里，它能夠有效降低功耗并提升整體效率。此外，由于其快速開關特性，也適合高頻開關電源的設計需求。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個適當?shù)男‰娮鑱硪种普袷幀F(xiàn)象，并且要注意散熱設計以確?？煽抗ぷ?。電路設計時應考慮合適的驅動電壓以保證MOSFET充分開啟，減少導通損耗。使用時還需關注最大額定參數(shù)，避免超出安全工作區(qū)導致?lián)p壞。

STF80N10F7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
DeepGATE?, STripFET? VII
包裝
管件
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
10 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3100 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FP
封裝/外殼
TO-220-3 整包

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廣東微爾科技有限公司

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