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STFI10NK60Z

更新時間:2025-05-25 01:02:19

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STFI10NK60Z外觀圖

STFI10NK60Z

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FP

封裝:I²Pak 全封裝

STFI10NK60Z 概述

STFI10NK60Z是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏極-源極電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達10A，適用于高電壓和大電流的應(yīng)用場景。典型應(yīng)用包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、開關(guān)模式電源（SMPS）以及照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器等。在電路設(shè)計中，應(yīng)確保柵極驅(qū)動電壓足夠高以實現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻，并注意散熱設(shè)計以保證器件在大功率條件下穩(wěn)定工作。使用時需關(guān)注柵極電阻的選擇以優(yōu)化開關(guān)速度并減少EMI干擾。

STFI10NK60Z 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STFI10NK60Z View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
750 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
70nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1370pF @ 25V
功率 - 最大
35W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
I²Pak 全封裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝
I2PAKFP
包裝
管件
其它名稱
497-12855-5

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廣東微爾科技有限公司

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