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STFI11NM65N

更新時間:2025-06-06 06:19:15

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STFI11NM65N 概述

STFI11NM65N是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用MDmesh V技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性，適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。其最大漏源電壓(Vds)為650V，連續(xù)漏極電流(Id)在25°C時為11A。這款MOSFET廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因數(shù)校正(PFC)電路、照明驅(qū)動器以及工業(yè)逆變器等領(lǐng)域。在設(shè)計(jì)中使用時，建議搭配合適的柵極驅(qū)動器以確?？焖匍_關(guān)性能。由于其低柵極電荷特性，可以有效降低驅(qū)動損耗并提高系統(tǒng)效率。此外，在PCB布局時應(yīng)特別注意保持柵極走線盡可能短，以減少寄生電感帶來的振蕩問題。

STFI11NM65N 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
MDmesh? II
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
455 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
I2PAKFP（TO-281）
封裝/外殼
TO-262-3 整包，I2Pak

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