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STFI6N62K3

更新時間:2025-05-21 22:32:06

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STFI6N62K3 概述

STFI6N62K3是由意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）可達620V，適合用于交流-直流電源轉換器、適配器、照明系統(tǒng)以及工業(yè)控制設備等場合。由于其優(yōu)化的開關性能，能夠有效降低開關損耗，提高整體能效。在電路設計中，建議關注柵極驅(qū)動的設計以確?？煽块_啟和關閉MOSFET，并注意散熱管理以維持長期穩(wěn)定工作。此元件適用于需要高效能量轉換的應用場景，是高電壓開關電源的理想選擇之一。

STFI6N62K3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,500現(xiàn)貨
系列
SuperMESH3?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
620 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.2 歐姆 @ 2.8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
875 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAKFP（TO-281）
封裝/外殼
TO-262-3 整包，I2Pak

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廣東微爾科技有限公司

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