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STFI7LN80K5

更新時間:2025-08-23 08:30:22

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STFI7LN80K5 概述

STFI7LN80K5是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K5技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能。它被設計用于高效電源轉換應用，如服務器電源、電信設備和工業(yè)電源系統(tǒng)。這款MOSFET的最大漏源電壓為800V，適用于高壓應用場合。其優(yōu)化的設計使其在高頻條件下仍能保持較低的開關損耗，從而提高整體電源效率。典型應用場景包括PFC（功率因數(shù)校正）電路、DC-DC轉換器和諧振變換器等。使用時應注意散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內(nèi)。建議配合適當?shù)臇艠O驅動電路以實現(xiàn)最佳開關性能。在PCB布局上應盡量縮短源極和漏極之間的走線距離，減少寄生電感的影響。對于高可靠性要求的應用場合，需要進行充分的熱管理和電磁兼容性測試。

STFI7LN80K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,499現(xiàn)貨
系列
MDmesh?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.15 歐姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAKFP（TO-281）
封裝/外殼
TO-262-3 整包，I2Pak

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