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STFV3N150

更新時間:2025-06-12 00:02:59

供應(yīng)商
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廠商
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STFV3N150外觀圖

STFV3N150

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220FH

封裝:TO-220-3 全封裝，隔離接片

STFV3N150 概述

V3N150是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高壓N溝道MOSFET。該器件專為需要高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計，最大漏源電壓(VDS)可達(dá)150V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為3A。其超低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))有助于減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。STFV3N150采用緊湊型SOT-23封裝，適合空間受限的設(shè)計場景。典型應(yīng)用場景包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動以及各種電源管理電路中。由于其高可靠性和穩(wěn)定性，也常用于工業(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，同時應(yīng)合理布局PCB以優(yōu)化散熱性能。

STFV3N150 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
1500V（1.5kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 歐姆 @ 1.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
939pF @ 25V
功率 - 最大
30W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220-3
包裝
管件
其它名稱
497-6319-5

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