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STGP12NB60KD

更新時間:2025-06-20 00:02:21

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STGP12NB60KD外觀圖

STGP12NB60KD

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT 600V 30A 125W TO220

封裝:TO-220-3

STGP12NB60KD 概述

STGP12NB60KD是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，專為高壓應用設計。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電力電子設備中。其最大漏源電壓（Vds）可達600V，連續(xù)漏極電流（Id）為12A，適合于高頻開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動等應用場景。在電路設計中，這款MOSFET通常用于高效能量轉換系統(tǒng)中，能夠有效降低開關損耗并提高整體效率。使用時需注意適當的散熱設計，以確保器件工作溫度保持在安全范圍內。此外，在柵極驅動電路的設計上要保證足夠的驅動能力，避免因驅動不足導致的性能下降。建議采用推薦的PCB布局指南，減少寄生電感和電容對電路的影響。

STGP12NB60KD 規(guī)格參數

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.8V @ 15V，12A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
30A
功率 - 最大
125W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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