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STGW30N120KD

更新時間:2025-06-22 21:13:46

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STGW30N120KD外觀圖

STGW30N120KD

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT 30A 1200V TO-247

封裝:TO-247-3

STGW30N120KD 概述

STGW30N120KD是由意法半導體生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高壓、大電流的應用場景。其額定電壓為1200V，最大連續(xù)漏極電流可達30A，非常適合用于工業(yè)級電源轉換設備。常見應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅動以及各種需要高效功率管理的系統(tǒng)。在電路設計中，建議結合適當的柵極驅動電路以確保最佳性能。使用時需要注意散熱設計，通常需要配合散熱片或散熱器使用，以保持器件在安全工作溫度范圍內運行。此外，應遵循推薦的PCB布局規(guī)范，減少寄生電感和噪聲干擾，提高整體系統(tǒng)穩(wěn)定性。

STGW30N120KD 規(guī)格參數

其它有關文件
STGW30N120KD View All Specifications
特色產品
STGW30N120KD & STGW40N120KD IGBTs
標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3.85V @ 15V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
60A
功率 - 最大
220W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247-3
包裝
管件
其它名稱
497-7015-5

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