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STGW40NC60KD

更新時間:2025-06-12 03:17:54

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STGW40NC60KD外觀圖

STGW40NC60KD

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT 40A 600V TO-247

封裝:TO-247-3

STGW40NC60KD 概述

STGW40NC60KD是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關應用。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，優(yōu)化用于電源轉換器、不間斷電源(UPS)、電機驅動等需要高效電能管理的場合。在電路中能夠減少能量損耗，提高整體系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓為600V，適合高壓應用場景。使用時應注意散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內。典型應用包括開關電源中的同步整流和主開關管位置。設計電路時需根據具體需求選擇合適的柵極驅動電阻值以優(yōu)化開關速度與EMI性能。

STGW40NC60KD 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STGW40NC60KD View All Specifications
標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.7V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
70A
功率 - 最大
250W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247 長引線
包裝
管件
其它名稱
497-8441-5

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