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STI260N6F6

更新時間:2025-05-16 03:02:52

供應(yīng)商
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標準國際（香港）有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

中揚電子（深圳）有限公司
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華芯盛世半導(dǎo)體（深圳）有限公
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只做原廠原裝假一罰十可含稅

昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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深圳市澤芯微科技有限公司
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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深圳市銘科微電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢渠道

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TI/德州儀器
SOT353/23+
原裝，提供一站式配單服務(wù)

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STI260N6F6外觀圖

STI260N6F6

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

STI260N6F6 概述

STI260N6F6是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh V技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效能的電源管理應(yīng)用。其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達260A，非常適合于高功率密度設(shè)計。這款MOSFET常用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器以及需要快速開關(guān)和低損耗特性的工業(yè)應(yīng)用中。在實際應(yīng)用時，建議關(guān)注其散熱設(shè)計以充分發(fā)揮其性能。例如，在高頻開關(guān)電源電路中使用時，需優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感，并確保良好的熱傳導(dǎo)路徑以維持較低的工作溫度，提高系統(tǒng)整體效率。

STI260N6F6 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STI260N6F6 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
75V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫歐 @ 60A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
183nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
11400pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
I2PAK
包裝
管件
其它名稱
497-11329-5

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廣東微爾科技有限公司

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