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STL13N60M2

更新時間:2025-05-16 11:10:10

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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STL13N60M2 概述

STL13N60M2是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術(shù)，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高頻開關(guān)電源應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達13A，非常適合用于交流-直流電源轉(zhuǎn)換器、適配器、LED驅(qū)動器以及工業(yè)控制設(shè)備中的開關(guān)電路。在應用中，推薦使用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并減少EMI干擾。對于高頻應用，建議選擇較小的柵極電阻值；而在對EMI要求嚴格的場合，則應適當增大柵極電阻。設(shè)計時應注意確保足夠的散熱措施，如使用散熱器或良好的PCB布局來提高熱性能。此外，在實際布線過程中，盡量縮短源極引線長度可以有效降低寄生電感，從而提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

STL13N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
420 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
580 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
55W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）HV
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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