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STN2NF10

更新時間:2025-07-05 18:40:02

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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只做現(xiàn)貨，一站式配單

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳原裝進口星宇佳科技

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STN2NF10外觀圖

STN2NF10

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

STN2NF10 概述

STN2NF10是由STMicroelectronics生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源管理和電機控制應用。其最大漏源電壓（Vds）為100V，在柵極驅動電壓為10V時，典型導通電阻（Rds(on)）低至0.1歐姆，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。在實際應用中，STN2NF10廣泛用于直流-直流轉換器、電池充電器以及電動工具等設備的H橋電路中。設計者應注意確保柵極驅動電壓足夠高以實現(xiàn)最低的導通電阻，并且需合理布局PCB以優(yōu)化散熱性能。此外，在高頻應用場合下，應考慮減小寄生電感對開關速度的影響，建議使用短而寬的走線連接源極與漏極引腳。

STN2NF10 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STN2NF10 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
260 毫歐 @ 1.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
280pF @ 25V
功率 - 最大
3.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-8023-6

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STN2222AS
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STN2907AS
STN2907S
SR2100

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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