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STP10NK50Z

更新時間:2025-07-09 00:25:20

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市銘科微電子有限公司
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STP10NK50Z外觀圖

STP10NK50Z

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 500V 9A TO-220

封裝:TO-220-3

STP10NK50Z 概述

STP10NK50Z是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，優(yōu)化用于高效電源轉(zhuǎn)換電路中。其最大漏極-源極電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達10A，非常適合于不間斷電源、電機驅(qū)動和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場景。在實際應(yīng)用中，建議將該MOSFET與適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路配合使用，以確?？焖偾铱煽康拈_關(guān)操作。由于其高耐壓能力，在設(shè)計時需注意PCB布局和元件選擇，避免過高的瞬態(tài)電壓損壞器件。典型應(yīng)用電路包括半橋和全橋逆變器拓撲結(jié)構(gòu)，在這些電路中，STP10NK50Z能夠提供高效的能量傳輸和卓越的熱性能。

STP10NK50Z 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
700 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
39.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1219pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
配用
497-6416-ND - BOARD EVAL L5991/STP10NK60Z
其它名稱
497-4671-5

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