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STP12NM50

更新時間:2025-07-03 10:43:54

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產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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STP12NM50外觀圖

STP12NM50

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

封裝:TO-220-3

STP12NM50 概述

12NM50是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高電壓應用場合。該器件的最大漏源電壓為500V，具有低導通電阻和快速開關特性，有助于降低系統(tǒng)功耗并提高效率。其典型應用包括開關電源、電機驅動、照明設備以及工業(yè)自動化等領域中的高壓轉換電路。在實際應用中，STP12NM50常被用于設計高效能的直流-直流變換器和交流-直流整流器。由于其具備較高的擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定性，特別適合需要承受瞬態(tài)高壓沖擊的場合。使用時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱措施得當，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于初學者而言，在搭建測試電路前應仔細閱讀產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊，了解推薦的工作條件和電氣參數(shù)范圍。

STP12NM50 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP12NM50 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
350 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
39nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 25V
功率 - 最大
160W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-2666-5

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