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STP14NM50N

更新時間:2025-07-28 07:58:10

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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STP14NM50N外觀圖

STP14NM50N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

封裝:TO-220-3

STP14NM50N 概述

STP14NM50N是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件設(shè)計用于高效能開關(guān)應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為500V，適合在高壓電路環(huán)境中使用。典型應(yīng)用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、開關(guān)電源以及工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻開關(guān)電路。在電機驅(qū)動應(yīng)用中，它能夠有效減少功耗并提高整體系統(tǒng)效率。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟，同時在布局PCB時應(yīng)盡量縮短引線長度以減小寄生電感影響。在電路設(shè)計中通常與續(xù)流二極管配合使用以保護MOSFET免受反向電壓沖擊。

STP14NM50N 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STP14NM50N View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
320 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
816pF @ 50V
功率 - 最大
90W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220
包裝
管件
其它名稱
497-10650-5

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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