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STP16N65M2

更新時間:2025-06-11 08:17:43

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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特價支持，只做原裝現(xiàn)貨

深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢

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成都恒昌芯業(yè)科技有限公司
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STP16N65M2 概述

STP16N65M2是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的MDmesh M2技術(shù)，具有低柵極電荷和低反向傳輸電容，可實現(xiàn)高效快速的開關(guān)操作。其最大漏源電壓(VDS)為650V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為16A。由于其優(yōu)異的動態(tài)特性與低導(dǎo)通電阻(RDS(on))，特別適合應(yīng)用于開關(guān)電源、照明系統(tǒng)中的鎮(zhèn)流器以及不間斷電源(UPS)等需要高效率和可靠性的場合。此外，在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中也能發(fā)揮出色性能，有助于提升整體系統(tǒng)能效并減少熱損耗。使用時應(yīng)注意合理設(shè)計散熱以確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。

STP16N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,821現(xiàn)貨
系列
MDmesh? M2
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
360 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
19.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
718 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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